El 13 de febrero de 1910, nace en Londres Inglaterra, William B. Shockley, ingeniero y co-ganador del Premio Nobel 1956 de Física por la invención del transistor.
Shockley, estudió física en el Instituto de Tecnología de California, donde se graduó en 1932. Después de obtener su doctorado en el Instituto de Tecnología de Massachusetts, en 1936.
Shockley comenzó a trabajar en los Laboratorios Bell, donde experimentó con los semiconductores. Sirvió durante la Segunda Guerra Mundial como director de investigación de Operaciones de guerra antisubmarina, al finalizar la guerra, regresó a Bell como director de investigación de la física.
William B. Shockley trabajó junto a John Bardeen y Walter H. Brattain en el control y amplificación de señales electrónicas empleando semiconductores. El equipo desarrolló el transistor de contacto en 1947.
En 1948, crean el transistor de unión, un dispositivo que sustituye en gran parte los tubos de vacío los cuales eran más voluminoso y menos eficientes, marcando el comienzo de la era de la microelectrónica.
En 1955, Shockley funda el Laboratorio Shockley y se convierte en profesor de la Universidad de Stanford.
En 1956, comparte el Premio Nobel 1956 de Física con Bardeen y Brattain para la invención del transistor, considerado uno de los mayores avances en la historia de la tecnología.
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Fuente:
biography.com
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