El 10 de febrero de 1902, nace en Amoy, China, Walter Houser Brattain, científico conocido por ser junto a John Bardeen y William B. Shockley los inventores del Transistor.
Brattain obtuvo un doctorado de la Universidad de Minnesota, y en 1929 se convirtió en un físico de investigación de Bell Telephone Laboratories.
El principal campo de investigación de Brattain consistió en las propiedades superficiales de los sólidos, en particular la estructura atómica de un material en la superficie, que por lo general difiere de su estructura atómica en el interior.
En 1947, Brattain, Shockley y Bardeen desarrollan el primer Transistor.
En 1956, Brattain ganó el Premio Nobel de Física por su investigación de las propiedades de los semiconductores de materiales de que están hechos y los transistores para el desarrollo del transistor.
El transistor reemplazó el tubo de vacío más voluminoso para muchos usos y fue el precursor de los componentes electrónicos microminiatura.
En 1967, Brattain, sale de los Laboratorios Bell y se desempeña como profesor adjunto en la Universidad de Whitman, Walla Walla, Washington hasta 1972.
A Brattain se le concedió una serie de patentes y fue escritor de numerosos artículos sobre la física del estado sólido.
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Fuente:
britannica.com
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